Art

J-GLOBAL ID：201402277800912737   Reference number：14A1098069

硬X線光電子分光法によるIn₂O₃単結晶の電子状態評価

Author (10)： NAGATA TAKAHIRO (物質・材料研究機構) ,  BIERWAGEN O. (パウル・ドルーテ固体電子工学研) ,  GALAZKA Z. (ライプニッツ結晶成長研) ,  UEDA SHIGENORI (物質・材料研究機構) ,  YOSHIKAWA HIDEKI (物質・材料研究機構) ,  IMURA MASATAKA (物質・材料研究機構) ,  YAMASHITA YOSHIYUKI (物質・材料研究機構) ,  OH S. (物質・材料研究機構) ,  SAKATA OSAMI (物質・材料研究機構) ,  CHIKYO TOYOHIRO (物質・材料研究機構)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 75th  Page： ROMBUNNO.17P-PA5-14  Publication year： Sep. 01, 2014 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *hard X-ray ,  *X-ray photoelectron spectroscopy ,  *indium oxide ,  electronic state ,  *binding energy ,  melting process ,  transference electrode
Semi thesaurus term： melting method

JST classification (2)： Electron spectroscopy  (BM09060K) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (4)： 硬X線光電子分光 ,  単結晶 ,  電子状態 ,  評価