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J-GLOBAL ID：201402278877147843   Reference number：14A0604443

異方性ウエットエッチングによるSiサブ波長反射防止構造の作製

Author (4)： ITO KAZUO (群馬大) ,  SUGITO YUHEI (群馬大) ,  TSUNODA TAKAYA (群馬大) ,  NOGUCHI KATSUYA (群馬大)
Material： 群馬大学高度人材育成センター年報  (Annual Report of GU-HRCC)
Issue： 17  Page： 8-9  Publication year： Nov. 2013 
JST Material Number： L6814A  Document type： Year Book
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *electron beam lithography ,  photodetector ,  *etching ,  surface modification ,  scanning electron microscope ,  optical microscope ,  fine patterning ,  *structure ,  wavelength ,  nanostructure ,  column ,  pyramid ,  high sensitivity ,  simplification ,  wet etching ,  subwavelength ,  nanopillar ,  nano-pyramid ,  laser microscope ,  solid (cubic) ,  modification
Semi thesaurus term： *サブ波長反射防止構造 ,  *anisotropic etching ,  photodetector ,  *anti-reflection structure

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Substance index (1)： Tetramethylammonium hydroxide

Terms in the title (6)： 異方性 ,  エッチング ,  Si ,  サブ波長 ,  反射防止構造 ,  作製