Art

J-GLOBAL ID：201402285374070424   Reference number：14A0455049

次世代高性能シリコンデバイス製造に向けた新規プロセスの研究開発(平成24年度)

Author (3)： FUKUDA HISASHI (室蘭工大) ,  UESUGI KATSUHIRO (室蘭工大) ,  SHIRO TAKASHI (帝人 融合技研)
Material： 室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告
Issue： 24  Page： 4-6  Publication year： Feb. 2014 
JST Material Number： L5514A  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film transistor ,  organic solvent ,  thin film growth ,  *nano particle ,  silicon ,  *semiconductor thin film ,  carrier mobility ,  pulsed laser irradiation ,  semiconductor process ,  doping ,  boron ,  *silicon nanoparticle ,  *silicon thin film

JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (1)：

• Y. Ikeda, T. Imamura, Y. Tomizawa and T. Shiro, “ Novel Materials for Printed Electronics”, Abstract of the 21^st Int. Display Workshop, Niigata, 2013.

Terms in the title (6)： 次世代 ,  高性能 ,  シリコンデバイス ,  プロセス ,  研究 ,  開発