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J-GLOBAL ID：201402285952781282   Reference number：14A0414773

Detailed analyses of electric field-induced resistance switching behavior of SrFeO_3-x film

SrFeO_3-x薄膜の電場によって誘起される抵抗スイッチング動作の詳細な解析

Author (3)： YOKOTA Takeshi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KITO Shinya (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  GOMI Manabu (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 2S  Page： 02BC17.1-02BC17.5  Publication year： Feb. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *switching ,  *perovskite type crystal ,  ferrate ,  strontium compound ,  *nonvolatile memory ,  *thin film ,  *electric field effect ,  electric resistance ,  solid phase synthesis ,  X-Ray Diffraction ,  current-voltage characteristic ,  capacitance-voltage characteristic ,  carrier injection ,  chemical reaction ,  mass transfer ,  oxygen transfer ,  *resistance switching
Semi thesaurus term： charge injection

JST classification (1)： Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Reference (32)：

• S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 76, 2749 (2000).
• A. Beck, J. G. Bednorz, Ch. Gerber, C. Rossel, and D. Widmer, Appl. Phys. Lett. 77, 139 (2000).
• Y. Watanabe, J. G. Bednorz, A. Bietsch, C. Gerber, D. Widmer, A. Beck, and S. J. Wind, Appl. Phys. Lett. 78, 3738 (2001).
• S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
• Z. B. Yan, K. F. Wang, S. Z. Li, S. J. Luo, and J.-M. Liu, Appl. Phys. Lett. 95, 143502 (2009).

Terms in the title (5)： 薄膜 ,  電場 ,  誘起 ,  抵抗スイッチング ,  解析