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J-GLOBAL ID：201402286118858266   Reference number：14A0032078

Effects of Fabrication Process on Electrical Properties of InAlN MOS Structures with ALD-Al₂O₃

ALD-Al₂O₃を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響

Author (3)： CHIBA MASAHITO (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  NAKANO TAKUMA (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  AKAZAWA MASAMICHI (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 329(ED2013 64-89)  Page： 101-105  Publication year： Nov. 21, 2013 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,  monoatomic layer ,  *Aluminum Oxide ,  indium compound ,  aluminum compound ,  nitride ,  *control ,  *interface (surface) ,  *MOS structure ,  voltage ,  *capacitance-voltage characteristic ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  protective film ,  surface level ,  conduction band ,  *current-voltage characteristic ,  *variable capacitance diode ,  breakdown voltage ,  Indium Aluminum Nitride
Semi thesaurus term： atomic layer deposition ,  Indium Aluminum Nitride ,  interface control ,  metal oxide semiconductor diode

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (7)： ALD ,  Al2O3 ,  InAlN ,  MOS構造 ,  電気的特性 ,  作製 ,  プロセス