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J-GLOBAL ID：201402294741382445   Reference number：14A0425927

P3HT-fiber-based field-effect transistor: Effects of nanostructure and annealing temperature

P3HTファイバベース電界効果トランジスタ:ナノ構造及びアニーリング温度の効果

Author (7)： TIWARI Shashi (Banaras Hindu Univ., Varanasi, IND) ,  TAKASHIMA Wataru (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  BALASUBRAMANIAN Sirkazhi K. (Banaras Hindu Univ., Varanasi, IND) ,  MIYAJIMA Shougo (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  NAGAMATSU Shuichi (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  PANDEY Shyam Sudhir (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  PRAKASH Rajiv (Banaras Hindu Univ., Varanasi, IND)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 2  Page： 021601.1-021601.7  Publication year： Feb. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,  *poly(hexylthiophene) ,  *nanofiber ,  *spin coating ,  *annealing (heat treatment) ,  *Temperature ,  carrier mobility ,  ratio ,  degradation (alteration) ,  mobility (ratio) ,  hysteresis ,  *annealing temperature
Semi thesaurus term： field effect transistor ,  P3HT(polymer) ,  *annealing (heat treatment) ,  on-off ratio

JST classification (4)： Transistors  (NC03070N) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L) ,  Thin films in general  (BK14010X) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (41)：

• Y. Sun, Y. Liu, and D. Zhu, J. Mater. Chem. 15, 53 (2005).
• S.-W. Jeong, D.-H. Han, and B.-E. Park, J. Ceram. Soc. Jpn. 118, 1094 (2010).
• E. Lim, B.-J. Jung, H.-K. Shim, T. Taguchi, B. Noda, T. Kambayashi, T. Mori, K. Ishikawa, H. Takezoe, and L.-M. Do, Org. Electron. 7, 121 (2006).
• F.-Y. Yang, M.-Y. Hsu, G.-W. Hwang, and K.-J. Chang, Org. Electron. 11, 81 (2010).
• S. Ando, D. Kumaki, J. Nishida, H. Tada, Y. Inoue, S. Tokito, and Y. Yamashita, J. Mater. Chem. 17, 553 (2007).

Terms in the title (5)： P3HT ,  ファイバ ,  電界効果トランジスタ ,  ナノ構造 ,  アニーリング温度