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J-GLOBAL ID：201402298287631104   Reference number：14A0984379

Evaluation of minority carrier diffusion length of undoped n-BaSi₂ epitaxial thin films on Si(001) substrates by electron-beam-induced-current technique

電子ビーム誘導電流法によるSi(001)基板上の無添加n-BaSi₂エピタキシャル薄膜の少数キャリア拡散長の評価

Author (10)： BABA Masakazu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  WATANABE Kentaro (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  WATANABE Kentaro (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  HARA Kosuke O. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TOKO Kaoru (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SEKIGUCHI Takashi (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  USAMI Noritaka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  USAMI Noritaka (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SUEMASU Takashi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU Takashi (JST-CREST, Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 7  Page： 078004.1-078004.3  Publication year： Jul. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： thin film ,  *minority carrier ,  *diffusion length ,  MBE growth ,  electron beam induced current ,  *silicide ,  *barium compound ,  epitaxial film ,  *barium silicide
Semi thesaurus term： diffusion length ,  molecular beam epitaxy ,  electron-beam-induced current

JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Reference (17)：

• K. Morita, Y. Inomata, and T. Suemasu, Thin Solid Films 508, 363 (2006).
• K. Toh, T. Saito, and T. Suemasu, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 068001 (2011).
• M. Imai and T. Hirano, Phys. Rev. B 58, 11922 (1998).
• J. Evers, J. Less-Common Met. 69, 399 (1980).
• M. Imai and T. Hirano, J. Alloys Compd. 224, 111 (1995).

Terms in the title (7)： 電子ビーム誘導電流 ,  Si ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  少数キャリア ,  拡散長 ,  評価