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J-GLOBAL ID：201403001130459031

規則化合金を含む薄膜およびその製造方法

Inventor： 稲葉 祐樹 ,  島津 武仁
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社 ,  国立大学法人東北大学
Agent (1)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012199609
Publication number (International publication number)：2014056624
Application date： Sep. 11, 2012
Publication date： Mar. 27, 2014
Summary：

【課題】低コストな基板を用いて原子が規則的に配列した規則化合金を含む薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】NiPMoおよびNiPWからなる群から選択された1つからなるめっき層を有する基体と、前記基体上に配置された規則化合金とを含むことを特徴とする薄膜である。基体上に、NiPMoおよびNiPWからなる群から選択されためっき層を形成する工程と、前記めっき層上に規則化合金を形成する工程とを含み、前記規則化合金を形成する直前の真空度が7.0×10-7Pa以下であり、かつ、前記規則化合金を形成する工程においてプロセスガスの不純物濃度が5ppb以下である、薄膜の製造方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

NiPMoおよびNiPWからなる群から選択された1つからなるめっき層を有する基体と、前記基体上に配置された規則化合金とを含むことを特徴とする薄膜。

IPC (11)：

G11B 5/73 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/851 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/16 ,  H01F 41/14 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 43/10

FI (10)：

G11B5/73 ,  G11B5/65 ,  G11B5/851 ,  H01F10/26 ,  H01F10/16 ,  H01F41/14 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L43/10

F-Term (46)：

4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD15 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119FF16 ,  4M119JJ01 ,  5D006BB05 ,  5D006BB07 ,  5D006CB04 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D112AA02 ,  5D112AA05 ,  5D112AA24 ,  5D112BA06 ,  5D112BB02 ,  5D112BB05 ,  5D112BB06 ,  5D112EE01 ,  5D112FA04 ,  5D112FB19 ,  5D112FB20 ,  5D112GB01 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049CB10 ,  5E049DB02 ,  5E049GC01 ,  5E049KC04 ,  5F092AA11 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB23 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092CA01