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J-GLOBAL ID：201403002633908395

酸化物半導体膜を含む多層膜及び半導体装置の作製方法

Inventor： 津吹 将志 ,  渡邊 了介 ,  石原 典隆 ,  太田 将志
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013215685
Publication number (International publication number)：2014099601
Application date： Oct. 16, 2013
Publication date： May. 29, 2014
Summary：

【課題】局在準位の少ない酸化物半導体膜を作製する。また、酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。【解決手段】チャネルとなる酸化物半導体膜に接するIn若しくはGaを含む酸化物膜に酸素を添加した後、加熱処理を行って、In若しくはGaを含む酸化物膜に含まれる酸素をチャネルとなる酸化物半導体膜に移動させ、該酸化物半導体膜に含まれる酸素欠損量を低減する。また、In若しくはGaを含む酸化物膜を形成し、酸化物膜に酸素を添加した後、該酸化物膜上に酸化物半導体膜を形成し、加熱処理を行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

In若しくはGaを含む酸化物膜を形成し、前記In若しくはGaを含む酸化物膜に酸素を添加した後、酸素が添加されたIn若しくはGaを含む酸化物膜上に酸化物半導体膜を形成し、 加熱処理を行うことを特徴とする、酸化物半導体膜を含む多層膜の作製方法。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618Z

F-Term (93)：

5F110AA19 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HL27 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-094997   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-043486   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-094997   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-043486   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所