パイ接合SQUID、及び超伝導接合構造の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人サンクレスト国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011518329
Patent number：5574299
Application date： Mar. 02, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】スピン三重項超伝導体の単結晶を用いた基板と、当該基板の表面に形成されたスピン一重項超伝導体のループ層と、を有し、前記ループ層は、前記基板に対して実質的に接合されていないループ本体領域と、前記基板に対して接合するための第1接合用領域及び第2接合用領域と、を備え、前記第1接合用領域及び第2接合用領域それぞれが前記基板と接合することで、[スピン一重項超伝導体/スピン三重項超伝導体/スピン一重項超伝導体]のパイ接合を有する超伝導ループが形成されているパイ接合SQUID。

IPC (2)：

H01L 39/22 ( 200 6.01) , H01L 39/24 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 39/22 ZAA D , H01L 39/24 J

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

超伝導接合素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-293552 Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

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