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J-GLOBAL ID：201403007197842849

光電変換モジュールおよびその製造方法

Inventor： 菅原 勝俊 ,  藤岡 靖 ,  西川 祐介 ,  安井 慎一
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013022382
Publication number (International publication number)：2014154675
Application date： Feb. 07, 2013
Publication date： Aug. 25, 2014
Summary：

【課題】安価且つ簡便な構成でPID現象の抑制が可能な光電変換モジュールおよびその製造方法を得ること。【解決手段】受光面側の表面に絶縁膜が形成された結晶性半導体基板を用いた光電変換セル10が封止材33を介して受光面側保護ガラス31と裏面側保護部材32との間に封止された光電変換モジュール100であって、前記受光面側保護ガラス31と前記光電変換セル10との間に、窒化シリコンまたは窒化シリコンと酸化シリコンとを主成分としてなり内部に空隙を含有して窒化シリコンよりも密度の低い低密度層(多孔質窒化シリコン層41)を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

受光面側の表面に絶縁膜が形成された結晶性半導体基板を用いた光電変換セルが封止材を介して受光面側保護ガラスと裏面側保護部材との間に封止された光電変換モジュールであって、 前記受光面側保護ガラスと前記光電変換セルとの間に、窒化シリコンまたは窒化シリコンと酸化シリコンとを主成分としてなり内部に空隙を含有して窒化シリコンよりも密度の低い低密度層を備えること、 を特徴とする光電変換モジュール。

IPC (1)：

H01L 31/042

FI (1)：

H01L31/04 R

F-Term (5)：

5F151BA18 ,  5F151CB13 ,  5F151JA02 ,  5F151JA03 ,  5F151JA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 太陽電池モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-017016   Applicant：三洋電機株式会社
• 多孔性層、その製造方法およびその用途
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-536775   Applicant：サン-ゴバングラスフランス
• 太陽電池モジュール及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-072901   Applicant：信越半導体株式会社, 信越化学工業株式会社
• 光起電力装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-085185   Applicant：三洋電機株式会社
• 太陽電池の製造方法およびその方法により製造される太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-110704   Applicant：シャープ株式会社