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J-GLOBAL ID：201403008507326575

半導体ナノ粒子の製造方法、及び、半導体ナノ粒子

Inventor： 鈴木 俊正 ,  野々村 修一 ,  早川 明伸
Applicant, Patent owner： 国立大学法人岐阜大学 ,  積水化学工業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人 安富国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013088639
Publication number (International publication number)：2014212263
Application date： Apr. 19, 2013
Publication date： Nov. 13, 2014
Summary：

【課題】低い反応温度であっても半導体ナノ粒子を製造することができる、より簡便な半導体ナノ粒子の製造方法を提供する。また、該半導体ナノ粒子の製造方法により製造した半導体ナノ粒子を提供する。【解決手段】周期表11族元素、12族元素、14族元素、及び、16族元素を含む半導体ナノ粒子を製造する方法であって、周期表11族元素のアセチルアセトン塩、周期表12族元素のアセチルアセトン塩、周期表14族元素の四価の金属塩、周期表16族元素の単体又はその化合物、及び、表面修飾剤を含む懸濁液を加熱することにより、半導体ナノ粒子を得る半導体ナノ粒子の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

周期表11族元素、12族元素、14族元素、及び、16族元素を含む半導体ナノ粒子を製造する方法であって、 周期表11族元素のアセチルアセトン塩、周期表12族元素のアセチルアセトン塩、周期表14族元素の四価の金属塩、周期表16族元素の単体又はその化合物、及び、表面修飾剤を含む懸濁液を加熱することにより、半導体ナノ粒子を得ることを特徴とする半導体ナノ粒子の製造方法。

IPC (6)：

H01L 31/06 ,  C01G 19/00 ,  C01B 19/00 ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 20/00 ,  B82Y 30/00

FI (6)：

H01L31/04 E ,  C01G19/00 Z ,  C01B19/00 G ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

F-Term (3)：

5F151AA07 ,  5F151CB24 ,  5F151DA01