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J-GLOBAL ID：201403016297456520

熱電材料及びその製造方法並びにそれを用いた熱電変換モジュール

Inventor： 中村 芳明 ,  五十川 雅之 ,  上田 智広 ,  吉川 純 ,  酒井 朗 ,  細野 秀雄
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (3)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013543430
Patent number：5424436
Application date： May. 15, 2013
Summary：

【要約】 熱電材料は、半導体基板と、基板上に形成された半導体酸化膜と、酸化膜上に設けられた熱電層とを備えている。半導体酸化膜には第1ナノ開口部が形成され、熱電層は、複数の半導体ナノドットが粒子充填構造を有するように第1ナノ開口部上に積み上がった形をとり、複数の半導体ナノドットの少なくとも一部は、その表面に形成された第2ナノ開口部を有し、かつ、第2ナノ開口部を介して互いに結晶方位を揃えて連結している。この熱電材料は、半導体基板を酸化し、その上に半導体酸化膜を形成する工程と、酸化膜に第1ナノ開口部を形成する工程と、第1ナノ開口部上に複数の半導体ナノドットをエピタキシャル成長させて積み上げる工程を経て製造される。 このような構成により、熱電変換性能に優れた熱電材料が実現する。

Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体基板と、 半導体基板上に形成された半導体酸化膜と、 半導体酸化膜上に設けられた熱電層とを備え、 半導体酸化膜には第1ナノ開口部が形成され、 熱電層は、複数の半導体ナノドットが粒子充填構造を有するように該第1ナノ開口部上に積み上がった形をとり、 複数の半導体ナノドットの少なくとも一部は、その表面に形成された第2ナノ開口部を有し、かつ、該第2ナノ開口部を介して互いに結晶方位を揃えて連結していることを特徴とする熱電材料。

IPC (4)：

H01L 35/32 ( 200 6.01) ,  H01L 35/14 ( 200 6.01) ,  H01L 35/26 ( 200 6.01) ,  H01L 35/34 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 35/32 A ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/26 ,  H01L 35/34