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J-GLOBAL ID:201403021143353314

ペリレンテトラカルボン酸ビスイミド誘導体、n-型半導体、n-型半導体の製造方法、および電子装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 辻丸 光一郎 ,  中山 ゆみ ,  伊佐治 創
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2013508915
Patent number:5515069
Application date: Apr. 04, 2012
Claim (excerpt):
【請求項1】 下記化学式(I)で表される化合物のうち、下記化学式(A)で表される化合物以外の化合物であることを特徴とするペリレンテトラカルボン酸ビスイミド誘導体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。 前記化学式(I)中、 R1〜R6は、それぞれ、水素原子または下記化学式(II)もしくは(II-2)で表される置換基であり、同一でも異なっていても良く、R1〜R6の少なくとも一つは下記化学式(II)もしくは(II-2)で表される置換基であり、 前記化学式(II)および(II-2)中、 R11およびR12は、それぞれ、水素原子、低級アルキル基、またはフッ素原子であり、R11とR12とは同一でも異なっていても良く、各R11は同一でも異なっていても良く、各R12は同一でも異なっていても良く、 mは、0または正の整数であり、前記化学式(I)中に複数存在する場合は同一でも異なっていても良く、 nは、0または正の整数であり、前記化学式(I)中に複数存在する場合は同一でも異なっていても良く、 sは、0または1であり、 tは、1または2であり、 ★は、前記化学式(I)中の炭素原子への結合手を表し、 R7〜R10は、それぞれ、低級アルキル基、低級アルコキシ基、またはハロゲンであり、同一でも異なっていても良く、o、p、qおよびrは、置換数であり、それぞれ、0から2までの整数であり、同一でも異なっていても良く、oが2の場合、2個のR7は同一でも異なっていても良く、pが2の場合、2個のR8は同一でも異なっていても良く、qが2の場合、2個のR9は同一でも異なっていても良く、rが2の場合、2個のR10は同一でも異なっていても良く、 L1およびL2は、それぞれ、単結合または連結基であり、同一でも異なっていても良く、 前記連結基が、それぞれ、アルキレン基、環状構造を含む飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、オキシ基(-O-)、チオ基(-S-)、セレノ基(-Se-)、アミド結合(-NH-CO- または -CO-NH-)、エステル結合(-CO-O- または -O-CO-)、イミノ基(-NH-)、もしくはチオエステル結合(-CO-S- または -S-CO-)であり、前記アルキレン基、前記環状構造を含む飽和炭化水素基、および前記不飽和炭化水素基は、さらに置換基を有していても有していなくても良く、前記アルキレン基、前記環状構造を含む飽和炭化水素基、および前記不飽和炭化水素基中にメチレン基が存在する場合、前記メチレン基は、オキシ基(-O-)、チオ基(-S-)、セレノ基(-Se-)、アミド結合(-NH-CO- または -CO-NH-)、エステル結合(-CO-O- または -O-CO-)、イミノ基(-NH-)、もしくはチオエステル結合(-CO-S- または -S-CO-)で置換されていても良いか、または、 前記連結基が、下記式(III)で表される基であり、 前記式(III)中、Arは、アリーレン基であり、前記化学式(I)中に複数存在する場合は同一でも異なっていても良く、 L11およびL12は、それぞれ、単結合、アルキレン基、環状構造を含む飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、オキシ基(-O-)、チオ基(-S-)、セレノ基(-Se-)、アミド結合(-NH-CO- または -CO-NH-)、エステル結合(-CO-O- または -O-CO-)、イミノ基(-NH-)、もしくはチオエステル結合(-CO-S- または -S-CO-)であり、前記アルキレン基、前記環状構造を含む飽和炭化水素基、および前記不飽和炭化水素基は、さらに置換基を有していても有していなくても良く、前記アルキレン基、前記環状構造を含む飽和炭化水素基、および前記不飽和炭化水素基中にメチレン基が存在する場合、前記メチレン基は、オキシ基(-O-)、チオ基(-S-)、セレノ基(-Se-)、アミド結合(-NH-CO- または -CO-NH-)、エステル結合(-CO-O- または -O-CO-)、イミノ基(-NH-)、もしくはチオエステル結合(-CO-S- または -S-CO-)で置換されていても良く、L11とL12とは同一でも異なっていても良く、L11は、前記化学式(I)中に複数存在する場合は同一でも異なっていても良く、L12は、前記化学式(I)中に複数存在する場合は同一でも異なっていても良く、 ★Cは、前記化学式(I)中の炭素原子への結合手を表し、 ★Nは、前記化学式(I)中の窒素原子への結合手を表し、 前記化学式(A)中、 RAは、下記化学式(A1)で表される基であり、 前記化学式(A1)中、mAは、0から10までの整数である。
IPC (7):
C07F 7/10 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 51/42 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01)
FI (8):
C07F 7/10 CSP W ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 250 H ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 31/04 D ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/14 B ,  H01L 21/368 L
Patent cited by the Patent:
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Article cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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