六方晶窒化タングステンの合成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013023983
Publication number (International publication number)：2014152081
Application date： Feb. 12, 2013
Publication date： Aug. 25, 2014
Summary：

【課題】本発明は、耐圧耐熱カプセルを破損させることなく、不純物濃度を少なく、生成効率が高く、六方晶窒化タングステンを主生成物として合成する六方晶窒化タングステンの合成方法を提供すること、及び、カプセル内部で生成する合成物の不均一性を解消することを課題とする。【解決手段】ハロゲン化タングステンからなる第1の原料粉末と、アルカリ金属窒化物又はアルカリ土類金属窒化物からなる第2の原料粉末と、ハロゲンと反応可能な金属からなるハロゲン化物形成用微小片とを、耐圧耐熱カプセル内に充填する工程S1と、前記耐圧耐熱カプセルに1GPa以上の圧力を印加した状態で加熱して、六方晶窒化タングステンを合成する工程S2と、を有する六方晶窒化タングステンの合成方法を用いることによって前記課題を解決できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ハロゲン化タングステンからなる第1の原料粉末と、アルカリ金属窒化物又はアルカリ土類金属窒化物からなる第2の原料粉末と、ハロゲンと反応可能な金属からなるハロゲン化物形成用微小片とを、耐圧耐熱カプセル内に充填する工程と、前記耐圧耐熱カプセルに1GPa以上の圧力を印加した状態で加熱して、六方晶窒化タングステンを合成する工程と、を有することを特徴とする六方晶窒化タングステンの合成方法。

IPC (2)：

C01B 21/06 , B23P 15/28

FI (2)：

C01B21/06 A , B23P15/28 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

高窒素含有遷移金属窒化物の製造方法及び高窒素含有遷移金属窒化物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-155185 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
窒化物結晶の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-066543 Applicant：三菱化学株式会社, 株式会社東北テクノアーチ
窒化物ナノ粒子の製造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2011-531074 Applicant：シャープ株式会社

Show all

Return to Previous Page