Pat

J-GLOBAL ID：201403027704812079

有機半導体素子の製造方法、有機半導体素子および有機薄膜太陽電池素子

Inventor： 田島 右副 ,  青山 哲也 ,  高久 英明 ,  折井 孝彰 ,  今井 登 ,  加瀬 究 ,  早川 晴美
Applicant, Patent owner： 独立行政法人理化学研究所
Agent (1)： 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012202106
Publication number (International publication number)：2014057011
Application date： Sep. 13, 2012
Publication date： Mar. 27, 2014
Summary：

【課題】p-i-n接合構造を有する有機半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】n型有機半導体層6とp型有機半導体層4との間に位置し、n型の有機半導体とp型有機半導体との混成層であるi層5を形成する工程において、前記n型の有機半導体および前記p型の有機半導体の少なくとも一方を有機半導体コロイド分散液の噴霧塗布によって供給する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

p-i-n接合構造を有する有機半導体素子の製造方法であって、 n型有機半導体層とp型有機半導体層との間に位置し、n型の有機半導体とp型の有機半導体との混成層であるi層を形成する工程を含み、 i層を形成する上記工程において、上記n型の有機半導体およびp型の有機半導体の少なくとも一方を有機半導体コロイド分散液の噴霧塗布によって供給することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/368 ,  H01L 51/42

FI (2)：

H01L21/368 L ,  H01L31/04 D

F-Term (18)：

5F053AA06 ,  5F053DD19 ,  5F053HH10 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053LL04 ,  5F053LL05 ,  5F053PP03 ,  5F053RR05 ,  5F053RR13 ,  5F151AA11 ,  5F151CB13 ,  5F151CB14 ,  5F151CB15 ,  5F151DA04 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 新規コポリマー、有機半導体材料、及びこれを用いた有機電子デバイス、光電変換素子並びに太陽電池モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-102533   Applicant：三菱化学株式会社
• 有機薄膜素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-146482   Applicant：国立大学法人埼玉大学
• 半導体粒子の分散体から半導体要素を製作する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-180203   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 微粒子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-229686   Applicant：理化学研究所
• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-036073   Applicant：東レ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Preparation and Characterization of Water Self-dispersible Poly(3-hexylthiophene) Particles