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J-GLOBAL ID：201403031996142866

圧電圧力センサ

Inventor：
モハメド・ベンワディ

About モハメド・ベンワディ

, 
アブデルカデル・アリアン

About アブデルカデル・アリアン


Applicant, Patent owner：
コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

About コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ


Agent (4)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2014530291
Publication number (International publication number)：2014526694
Application date： Aug. 03, 2012
Publication date： Oct. 06, 2014
Summary：
半導体層(5)で部分的に覆われた2つの電極(3、4)を有する下部基板(2)と、半導体材料がその上に堆積された圧電材料及び2つの電極(3、4)と接触するように半導体層(5)と接触している、圧電材料で作られた圧電層(9)と、を含む圧力センサ(1)。電極(3、4)は、電源又は電極(3、4)間の半導体層(5)における電荷の移動によって生じる電流強度を測定するための装置に接続されるように意図され、前記電荷は圧力が前記圧電層(9)にかけられるときに生成される。
Claim (excerpt)：
圧電材料を含む圧力センサ(1)であって、半導体材料で作られた半導体層(5)で部分的に覆われた2つの電極(3、4)がその上に堆積された少なくとも1つの下部基板(2)と、半導体材料が圧電材料及び2つの電極(3、4)と接触するように前記半導体層(5)と接触している、圧電材料で作られた圧電層(9)と、を含み、前記圧電層は前記電極と組織的に接触しており、前記電極(3、4)は、電源又は前記電極(3、4)間の前記半導体層(5)における電荷(10)の移動によって生じる電流強度を測定するための装置に接続されることができ、前記電荷(10)は圧力が前記圧電層(9)にかけられるときに生成される、圧力センサ(1)。
IPC (1)：
G01L 9/08
FI (1)：
G01L9/08
F-Term (7)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC59 ,  2F055DD19 ,  2F055EE23 ,  2F055FF11 ,  2F055GG11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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