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J-GLOBAL ID：201403041225873163

セミクラスレートハイドレート若しくはクラスレートハイドレートで被覆したガスハイドレート粒子

Inventor： 木田 真人 ,  池田 育子 ,  神 裕介 ,  長尾 二郎 ,  成田 英夫
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 中野 修身
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010006374
Publication number (International publication number)：2011144268
Patent number：5550011
Application date： Jan. 15, 2010
Publication date： Jul. 28, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】メタンハイドレート粒子の表面を、臭化テトラブチルアンモニウム(TBAB)ハイドレート、塩化テトラブチルアンモニウム(TBACl)ハイドレート、フッ化テトラブチルアンモニウム(TBAF)ハイドレートからなる群より選ばれる1種であるセミクラスレートハイドレート若しくは、テトラヒドロフラン(THF)ハイドレート、1,4-ジオキサン(DO)ハイドレートからなる群より選ばれる1種であるクラスレートハイドレートで被覆したメタンハイドレート粒子。

IPC (1)：

C10L 3/06 ( 200 6.01)

FI (1)：

C10L 3/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• ガスクラスレート、その製造方法及び装置、ガスクラスレートの貯蔵方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-366383   Applicant：JFEエンジニアリング株式会社
• 炭化水素ガスの貯蔵及び輸送方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-060798   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (1)

• ガスクラスレート、その製造方法及び装置、ガスクラスレートの貯蔵方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-366383   Applicant：JFEエンジニアリング株式会社