Pat

J-GLOBAL ID：201403041393554812

光電変換素子、その製造方法およびそれを用いた太陽電池

Inventor： 山根 千草 ,  磯部 和也
Applicant, Patent owner： コニカミノルタ株式会社
Agent (1)： 八田国際特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012147564
Publication number (International publication number)：2014011054
Application date： Jun. 29, 2012
Publication date： Jan. 20, 2014
Summary：

【課題】光電変換効率に優れる光電変換素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも、透明導電性基板上にバッファ層、半導体および増感色素を含有する光電変換層、電荷輸送層、ならびに対極を備え、透明導電性基板表面の凹凸の平均間隔RSm1とバッファ層の凹凸の平均間隔RSm2が、0.9≦RSm2/RSm1≦1.3の関係を有し、かつ、透明導電性基板表面の算術平均粗さRa1と、バッファ層の算術平均粗さRa2が、(Ra1-Ra2)/Ra1≦0.7の関係を有する光電変換素子。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

透明導電性基板上に、バッファ層、半導体および増感色素を含有する光電変換層、電荷輸送層、ならびに対極を設けてなる光電変換素子であって、 前記透明導電性基板の凹凸の平均間隔RSm1とバッファ層の凹凸の平均間隔RSm2とが、0.9≦RSm2/RSm1≦1.3の関係を有し、 かつ、前記透明導電性基板の算術平均粗さRa1と、バッファ層の算術平均粗さRa2とが、(Ra1-Ra2)/Ra1≦0.7の関係を有することを特徴とする、光電変換素子。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

F-Term (13)：

5F151AA14 ,  5F151FA03 ,  5F151FA06 ,  5F151FA08 ,  5F151GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032CC11 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 基板上での多孔質半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-508738   Applicant：ソニードイチュラントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング