Pat

J-GLOBAL ID：201403041577507884

ハーフミラー基板の製造方法およびハーフミラー基板

Inventor： 高井 治 ,  齋藤 永宏 ,  白藤 立 ,  趙 星彪 ,  佐藤 信也
Applicant, Patent owner： 国立大学法人名古屋大学
Agent (1)： 名古屋国際特許業務法人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010150424
Publication number (International publication number)：2012013948
Patent number：5604664
Application date： Jun. 30, 2010
Publication date： Jan. 19, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ポリメチルメタクリレートまたはポリカーボネートからなるベース基板表面に島状成長してなるSn膜を形成する第1工程と、 前記第1工程において形成された前記Sn膜の表面に、原子状酸素を含む化学種を照射することにより酸化Sn層を形成する第2工程と、 前記酸化Sn層を覆うように、水蒸気透過率が前記ベース基板の水蒸気透過率以上であるSiO膜を形成する第3工程と、を備える ことを特徴とするハーフミラー基板の製造方法。

IPC (4)：

G02B 1/10 ( 200 6.01) ,  G02B 5/08 ( 200 6.01) ,  C23C 14/06 ( 200 6.01) ,  C23C 16/42 ( 200 6.01)

FI (4)：

G02B 1/10 Z ,  G02B 5/08 A ,  C23C 14/06 N ,  C23C 16/42

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• ハーフミラー付き静電容量型タッチスイッチ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-104381   Applicant：ぺんてる株式会社
• 非導通金属光沢メッキ、非導通金属光沢メッキ付電子機器用ケース、及び非導通金属光沢メッキ形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-108443   Applicant：株式会社萬年, ダイナテック株式会社
• 積層体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-023853   Applicant：三井東圧化学株式会社

Cited by examiner (3)

• ハーフミラー付き静電容量型タッチスイッチ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-104381   Applicant：ぺんてる株式会社
• 非導通金属光沢メッキ、非導通金属光沢メッキ付電子機器用ケース、及び非導通金属光沢メッキ形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-108443   Applicant：株式会社萬年, ダイナテック株式会社
• 積層体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-023853   Applicant：三井東圧化学株式会社