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J-GLOBAL ID：201403050366424868
原子捕捉装置および原子捕捉方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010027350
Publication number (International publication number)：2011165918
Patent number：5475491
Application date： Feb. 10, 2010
Publication date： Aug. 25, 2011
Claim (excerpt)：
【請求項1】 超伝導材料から構成されて貫通孔を有する捕捉部と、
この捕捉部を超伝導転移温度以下に冷却する冷却手段と、
前記捕捉部に均一な第1磁場を印加する磁場印加手段と、
前記捕捉部の近傍に捕捉対象の原子を供給する原子供給手段と
を少なくとも備え、
前記磁場印加手段は、前記捕捉部の貫通孔を貫く前記第1磁場を印加し、
前記磁場印加手段は、前記第1磁場に加え、前記第1磁場とは逆向きの均一な第2磁場を前記捕捉部に印加し、
前記磁場印加手段は、前記捕捉部の貫通孔を貫く前記第2磁場を印加し、
前記第1磁場は、前記第2磁場が印加されて前記冷却手段により前記捕捉部が超伝導転移温度以下に冷却され、前記第2磁場の印加が停止されてから前記原子供給手段により前記原子が前記捕捉部の近傍に供給された後で、印加されるものであり、
前記第2磁場は、前記第2磁場の印加が停止された後に、前記捕捉部近傍に不均一な磁場を形成するための永久電流を流すための磁場であり、
前記第1磁場は、前記永久電流によるに不均一な磁場と作用することで、前記第1磁場の印加により前記捕捉部近傍に不均一な反転磁場を形成するための磁場である
ことを特徴とする原子捕捉装置。
IPC (2)：
H01L 39/00 ( 200 6.01)
, B82B 3/00 ( 200 6.01)
H01L 39/00 ZAA G
, B82B 3/00
Cited by examiner (1)
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原子捕捉素子及び原子捕捉方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2007-011432
Applicant：日本電信電話株式会社
Article cited by the Patent：
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