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J-GLOBAL ID：201403052419345267

有機半導体材料、および、有機トランジスタ

Inventor： 宮脇 篤久 ,  石塚 亜弥 ,  桜井 美弥 ,  渡辺 泰之 ,  半那 純一
Applicant, Patent owner： DIC株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (1)： 河野 通洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012198412
Publication number (International publication number)：2014053541
Application date： Sep. 10, 2012
Publication date： Mar. 20, 2014
Summary：

【課題】 高い電荷移動度を有するだけでなく、成膜時の移動度のバラツキを抑えることのできる有機半導体材料を提供することにある。【解決手段】 一般式(1) 【化1】(式中、R1、R2は、各々独立して、炭素数2〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、ハロゲン原子を有する炭素数2〜20のアルキル基、炭素数3〜20のアルコキシアルキル基、炭素数3〜20のアルキルスルファニルアルキル基、芳香環又は複素芳香環、炭素数2〜20のアルキル基または炭素数2〜20のアルケニル基を置換基として持つ芳香族環又は複素芳香環、ハロゲン原子を有する炭素数2〜20のアルキル基またはアルケニル基を置換基として持つ芳香環又は複素芳香環等である。)で表される有機半導体材料により課題を解決する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

一般式(1)

IPC (3)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786

FI (3)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B

F-Term (15)：

4C072MM08 ,  4C072UU10 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 有機トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-021863   Applicant：三井化学株式会社
• 薄膜トランジスタおよび半導体組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-258769   Applicant：ゼロックスコーポレイション
• ベンゾチエノ[3,2-b]ベンゾチオフェン構造を含む重合体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-050253   Applicant：株式会社リコー