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J-GLOBAL ID：201403054014963330
六方晶窒化ホウ素構造
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
, 谷 義一
, 濱中 淳宏
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010182402
Publication number (International publication number)：2012041221
Patent number：5498315
Application date： Aug. 17, 2010
Publication date： Mar. 01, 2012
Claim (excerpt)：
【請求項1】 絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素とを有する六方晶窒化ホウ素構造であって、
前記単結晶六方晶窒化ホウ素は、不純物としてシリコン、マグネシウム、ベリリウム、またはイオウを含み、
前記不純物のドーピング濃度は、1×1016から1×1020cm-3の範囲であり、前記単結晶六方晶窒化ホウ素は、基板温度900°C以上で、1分間以上、熱処理が行われていることを特徴とする六方晶窒化ホウ素構造。
IPC (3)：
C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C30B 33/02 ( 200 6.01)
, C01B 21/064 ( 200 6.01)
C30B 29/38 A
, C30B 33/02
, C01B 21/064 J
