ダイヤモンドNV光学中心を有するダイヤモンド単結晶

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013040653
Publication number (International publication number)：2014169195
Application date： Mar. 01, 2013
Publication date： Sep. 18, 2014
Summary：

【課題】高品質なダイヤモンド単結晶成長が可能なCVD法を用い、所望の表面及び/又は結晶内の空間に、所望のサイズ及び/又は形状で配置されたNV光学中心を有するダイヤモンド単結晶、及び後プロセス無しでダイヤモンド成長時に自動的に所望の表面及び/又は結晶内の空間に、所望のサイズ及び/又は形状で配置することを可能とするNV光学中心の製造方法を提供する。【解決手段】基板としてオフ角が0度以上0.5度以下のダイヤモンド単結晶基板を用い、該基板上に局所的なオフ角変化を形成した後、マイクロ波プラズマCVD法を用いて、結晶成長速度50nm/h以下で、ステップフローモードに制御して成長させることにより、ホモエピタキシャル成長によるダイヤモンドの結晶成長時に自動的に結晶表面及び/又は結晶空間内に窒素-空孔複合欠陥1が配置されたダイヤモンド単結晶2を製造する。【選択図】図5(a)

Claim (excerpt)：

ホモエピタキシャル成長によるダイヤモンドの結晶成長時に自動的に結晶表面及び/又は結晶空間内に窒素-空孔複合欠陥が配置されたダイヤモンド単結晶を製造する方法であって、基板としてオフ角が0度以上0.5度以下のダイヤモンド単結晶基板を用い、該基板上に局所的なオフ角変化を形成した後、窒素を含有させた原料ガスを用いて、マイクロ波プラズマCVD法により、結晶成長速度50nm/h以下で、ステップフローモードに制御して成長させることを特徴とする窒素-空孔複合欠陥が配置されたダイヤモンド単結晶の製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/04 , C23C 16/27 , C23C 16/511 , C01B 31/06 , H01L 21/205

FI (5)：

C30B29/04 E , C23C16/27 , C23C16/511 , C01B31/06 A , H01L21/205

F-Term (41)：

4G077AA03 , 4G077AB10 , 4G077BA03 , 4G077DB07 , 4G077DB19 , 4G077EB01 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EE02 , 4G077HA02 , 4G077HA20 , 4G146AA04 , 4G146AA15 , 4G146AB07 , 4G146AC16B , 4G146AD01 , 4G146AD28 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC25 , 4G146BC26 , 4G146BC27 , 4G146BC33B , 4G146BC38B , 4G146BC41 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030CA01 , 4K030CA11 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030JA12 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

ダイヤモンド材料
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2011-519235 Applicant：エレメントシックスリミテッド

Cited by examiner (1)

ダイヤモンド材料
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2011-519235 Applicant：エレメントシックスリミテッド

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