ダイヤモンド材料

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：辻居幸一 , 熊倉禎男 , 小川信夫 , 箱田篤 , 浅井賢治 , 山崎一夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011519235
Publication number (International publication number)：2011529018
Application date： Jul. 22, 2009
Publication date： Dec. 01, 2011
Summary：

高い化学的純度、すなわち低い窒素含量と、高い同位体純度、すなわち低い13C含量とを有する単結晶ダイヤモンド、その製造方法及び該単結晶ダイヤモンドを含むソリッドステートシステムを開示する。【選択図】図1(a)

Claim (excerpt)：

高い化学的純度及び高い同位体純度のダイヤモンド材料の調製方法であって、以下の工程: 実質的に結晶欠陥がない表面を有するダイヤモンド基板を供給する工程; 高純度ガスを含む源ガス混合物を供給する工程(ここで、前記源ガス混合物中の窒素濃度は約300ppb以下である); その全C含量の少なくとも約99%の量で12Cを含む固体炭素源を供給する工程(ここで、前記固体炭素源は低い窒素不純物含量を有する); 前記源ガス混合物及び前記固体炭素源の少なくとも一部を活性化及び/又は解離させてガス状炭素種を形成する工程;及び前記基板の表面上でホモエピタキシャルダイヤモンド成長させる工程を含む方法。

IPC (2)：

C30B 29/04 , C23C 16/27

FI (2)：

C30B29/04 E , C23C16/27

F-Term (38)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BA03 , 4G077DB07 , 4G077DB19 , 4G077EA02 , 4G077EA05 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077EC09 , 4G077EC10 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE08 , 4G077FD02 , 4G077FE02 , 4G077FG03 , 4G077FG12 , 4G077FG17 , 4G077GA01 , 4G077GA02 , 4G077HA03 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4K030AA10 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030CA01 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030FA01 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030JA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

CVDにより造られた単結晶ダイヤモンド
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-510741 Applicant：エレメントシックス(プロプライエタリイ)リミテッド
特開昭63-117995
特開平4-097988

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