光ゲートスイッチ

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010145899
Publication number (International publication number)：2012008430
Patent number：5605621
Application date： Jun. 28, 2010
Publication date： Jan. 12, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】光導波路素子と、シリコン細線導波路によるマイケルソン干渉計とを結合した光ゲートスイッチであって、前記光導波路素子は、量子井戸構造を形成する半導体材料からなる光導波路を備えて前記量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有する光導波路素子であり、前記光導波路の一方の導波路端面から入射した信号光に対する反射構造を、前記光導波路の他方の導波路端面側に備え、前記一方の導波路端面又は前記他方の導波路端面から入射される制御光によって、前記信号光に対する位相変調が可能な光導波路において、前記一方から入射される前記信号光が前記反射構造で反射され前記一方の導波路端面から出力されることにより、位相変調領域での光信号の光路長が増大される、光導波路素子であることを特徴とする光ゲートスイッチ。

IPC (2)：

G02F 1/017 ( 200 6.01) , G02B 6/122 ( 200 6.01)

FI (2)：

G02F 1/017 503 , G02B 6/12 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

波長変換回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-027435 Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

応用物理, 20100310, Vol.79,No.3, 225-229
OPTICS EXPRESS, 20080929, VOl.16,No.20, 15304-15311
Journal of Lightwave Technology, 20081001, Vol.26,No.19, 3363-3368

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