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J-GLOBAL ID：201403058207997815

有機縦型トランジスタ

Inventor： 深川 弘彦 ,  時任 静士 ,  渡邊 康之
Applicant, Patent owner： 日本放送協会 ,  学校法人東京理科大学
Agent (4)： 特許業務法人磯野国際特許商標事務所 ,  磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  磯野 道造
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009098270
Publication number (International publication number)：2010251472
Patent number：5534702
Application date： Apr. 14, 2009
Publication date： Nov. 04, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板と、エミッタ電極と、第1有機半導体層と、ベース電極と、第2有機半導体層と、コレクタ電極とがこの順番に積層され、前記エミッタ電極と前記コレクタ電極とにより前記ベース電極を縦方向に挟んだ有機縦型トランジスタであって、 前記第1有機半導体層および前記第2有機半導体層は、正孔輸送材料で形成され、 各層を形成する有機半導体材料は、前記基板に対して平行配向で膜成長し、平行配向の分子のπ軌道が重なりを有し、当該半導体材料の分子が積層される配列方向にエネルギー-波数(E-k)の関係を示すバンド分散幅がW=0.05[eV]より大きいエネルギーバンドを形成し、 前記エミッタ電極は、キャリアとして正孔を前記第1有機半導体層および前記第2有機半導体層に注入する電極であり、 前記エミッタ電極および前記コレクタ電極は、金またはITOで形成され、 前記ベース電極は、前記エミッタ電極および前記コレクタ電極と比較して、仕事関数が相対的に小さい材料で形成されており、 前記第1有機半導体層および前記第2有機半導体層のうちの少なくとも一方を形成する有機半導体材料は、下記式(1)で示されるBTQBT(bis(1,2,5-thiadiazolo)-p-quinobis(1,3-dithiole))、その類似体および誘導体のいずれかであることを特徴とする有機縦型トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 29/68 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 21/337 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/808 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 29/68 ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 250 H ,  H01L 29/80 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 有機半導体材料及び有機電子デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-084816   Applicant：三菱化学株式会社
• 縦型有機トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-125877   Applicant：株式会社リコー
• トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光素子及びディスプレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-078237   Applicant：国立大学法人大阪大学, 大日本印刷株式会社