トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光素子及びディスプレイ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：吉村俊一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006078237
Publication number (International publication number)：2007258308
Application date： Mar. 22, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：

【課題】エミッタ電極-コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。また、そうしたトランジスタ素子の製造方法、また、そのトランジスタ素子有する発光素子及びディスプレイを提供する。【解決手段】エミッタ電極3とコレクタ電極2との間に、半導体層5(5A,5B)とシート状のベース電極4が設けられているトランジスタ素子により、上記課題を解決する。半導体層5は、エミッタ電極3とベース電極4との間及びコレクタ電極2とベース電極4との間に設けられて、それぞれ第2半導体層5B及び第1半導体層5Aを構成し、さらに、ベース電極の厚さが80nm以下であることが好ましい。また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

エミッタ電極とコレクタ電極との間に、半導体層とシート状のベース電極が設けられていることを特徴とするトランジスタ素子。

IPC (4)：

H01L 29/68 , H01L 51/05 , H01L 51/50 , H05B 33/26

FI (4)：

H01L29/68 , H01L29/28 100A , H05B33/14 A , H05B33/26 Z

F-Term (18)：

3K107AA02 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 5F003AZ03 , 5F003BB03 , 5F003BB90 , 5F003BF07 , 5F003BG07 , 5F003BH05 , 5F003BH08 , 5F003BH18 , 5F003BH99 , 5F003BJ93 , 5F003BM00 , 5F003BM10 , 5F003BN06 , 5F003BP41 , 5F003BP46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-019158 Applicant：三洋電機株式会社
特開昭63-009149
特開昭62-166564

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