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J-GLOBAL ID：201403062060557862

塩化セシウム型類似構造の酸化ストロンチウム結晶の製造方法

Inventor： 齋藤 秀俊 ,  赤坂 大樹 ,  小松 啓志 ,  南部 信義 ,  中村 淳 ,  南部 忠彦
Applicant, Patent owner： 国立大学法人長岡技術科学大学 ,  中部キレスト株式会社 ,  キレスト株式会社
Agent (4)： 植木 久一 ,  植木 久彦 ,  菅河 忠志 ,  伊藤 浩彰
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2012055432
Publication number (International publication number)：WO2012121161
Application date： Mar. 02, 2012
Publication date： Sep. 13, 2012
Summary：

本発明は、安定性に優れる塩化セシウム型構造に類似する構造の酸化ストロンチウム結晶を、大気圧下であっても簡便に製造することができる方法を提供することを目的とする。本発明に係る塩化セシウム型構造の酸化ストロンチウム結晶の製造方法は、ストロンチウム化合物とマグネシウム化合物とを接触させながら還元雰囲気中で加熱処理する工程を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

塩化セシウム型類似構造の酸化ストロンチウム結晶を製造するための方法であって、 ストロンチウム化合物とマグネシウム化合物とを接触させながら還元雰囲気中で加熱処理する工程を含むことを特徴とする製造方法。

IPC (4)：

C01F 11/02 ,  C01F 17/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/55

FI (4)：

C01F11/02 Z ,  C01F17/00 B ,  C09K11/08 B ,  C09K11/55

F-Term (20)：

4G076AA02 ,  4G076AA18 ,  4G076AB02 ,  4G076AB09 ,  4G076AB11 ,  4G076BA21 ,  4G076BA24 ,  4G076BA40 ,  4G076BB01 ,  4G076BD02 ,  4G076CA02 ,  4G076CA10 ,  4G076CA29 ,  4G076CA40 ,  4G076DA30 ,  4H001CA02 ,  4H001CF02 ,  4H001XA08 ,  4H001XA38 ,  4H001YA63