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J-GLOBAL ID：201403064513292760

SiC単結晶の製造方法

Inventor： 亀井 一人 ,  楠 一彦 ,  矢代 将斉 ,  岡田 信宏 ,  森口 晃治 ,  加渡 幹尚 ,  大黒 寛典 ,  坂元 秀光
Applicant, Patent owner： 新日鐵住金株式会社 ,  トヨタ自動車株式会社
Agent (6)： 上羽 秀敏 ,  松山 隆夫 ,  坂根 剛 ,  川上 桂子 ,  竹添 忠 ,  吉永 元貴
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012193381
Publication number (International publication number)：2014047120
Application date： Sep. 03, 2012
Publication date： Mar. 17, 2014
Summary：

【課題】単結晶の質を向上させることができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、Si-C溶液15の原料が収容される坩堝14を準備する工程と、坩堝14内の原料を加熱により溶融して、Si-C溶液15を生成する工程と、Si-C溶液15にSiC種結晶32を接触させ、SiC単結晶を成長させる工程とを備える。Si-C溶液15は、Cと、式(1)を満たすSi及びTiとを含有し、さらに、Ni、Ag及びCuからなる群から選択される1種又は2種以上を、Cを除いたat%で、1%より多く、且つ、20%以下含有する。0.11≦Ti/Si≦0.33(1)(式中の各元素記号には、対応する元素の含有量がCを除いたat%で代入される)。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

溶液成長法によりSiC単結晶を製造する製造方法であって、 Si-C溶液の原料が収容される坩堝を準備する工程と、 前記坩堝内の原料を加熱により溶融して、前記Si-C溶液を生成する工程と、 前記Si-C溶液に前記SiC種結晶を接触させ、SiC単結晶を成長させる工程とを備え、 前記Si-C溶液は、 Cと、 式(1)を満たすSi及びTiとを含有し、さらに Ni、 Ag及び Cuからなる群から選択される1種又は2種以上を、前記Cを除いたat%で、1%より多く、且つ、20%以下含有する、SiC単結晶の製造方法。 0.11≦Ti/Si≦0.33 (1) 式(1)中の各元素記号には、対応する元素の含有量(前記Cを除いたat%)が代入される。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/04

FI (2)：

C30B29/36 A ,  C30B19/04

F-Term (11)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EC08 ,  4G077ED06 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA71

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• SiC単結晶製造方法、およびそれを用いて製造するSiC結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-226715   Applicant：富士電機ホールディングス株式会社