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J-GLOBAL ID：201103093842638196

SiC単結晶製造方法、およびそれを用いて製造するSiC結晶

Inventor： 呂 民雅 ,  米澤 喜幸
Applicant, Patent owner： 富士電機ホールディングス株式会社
Agent (11)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文 ,  吉田 尚美 ,  中村 綾子 ,  深川 英里 ,  森本 聡二 ,  角田 恭子 ,  松崎 隆 ,  広瀬 幹規
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009226715
Publication number (International publication number)：2011073915
Application date： Sep. 30, 2009
Publication date： Apr. 14, 2011
Summary：

【課題】低い格子欠陥密度で良質なSiC単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるSiC単結晶製造方法を提供する。【解決手段】SiC単結晶基板15とSiを含む原料を加熱かつ融解して得られた融液層16とを接触させることによって、基板15上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶製造方法において、大気圧下または加圧下で、基板15との接触部とは反対側の融液層16の表面16b側から、Siを含む分子とCを含む分子とを含むプラズマ17を供給し、かつ融液層16の基板15との接触部における温度を融液層16の表面16bにおける温度より低くする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

SiC単結晶基板とSiを含む原料を加熱かつ融解して得られた融液層とを接触させることによって、前記基板上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶製造方法において、 大気圧下または加圧下で、前記基板との接触部とは反対側の前記融液層の表面側から、Siを含む分子とCを含む分子とを含むプラズマを供給し、かつ前記融液層の基板との接触部における温度を前記融液層の表面における温度より低くすることを含むSiC単結晶製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/208 ,  C30B 19/04

FI (3)：

C30B29/36 A ,  H01L21/208 D ,  C30B19/04

F-Term (28)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EC01 ,  4G077EC08 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA34 ,  4G077QA38 ,  4G077QA71 ,  4G077RA09 ,  5F053AA03 ,  5F053BB32 ,  5F053DD02 ,  5F053FF05 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053RR03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 液相成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-223894   Applicant：木村親夫, 株式会社ケミトロニクス
• 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-164061   Applicant：住友金属工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 液相成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-223894   Applicant：木村親夫, 株式会社ケミトロニクス
• 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-164061   Applicant：住友金属工業株式会社