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J-GLOBAL ID:201403064548336850

チアゾール誘導体およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 神谷 英昭
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2011503804
Patent number:5610351
Application date: Mar. 08, 2010
Claim (excerpt):
【請求項1】 一般式(II)で表されるチオアミドに強塩基を添加して、一般式(III)で示されるチオホルムアミドを反応させることを特徴とする一般式(I)で表されるチアゾール誘導体の製造方法。 [式中、 は、単結合または二重結合を示し、 R1は炭素数3〜12の分岐状または環状のアルキル基、アリール基、ヘテロ芳香族基から選択される基を示し、各基はさらに、ハロゲン、ヒドロキシ、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロ低級アルキルから選択される一種以上の置換基で置換されていても良く、 R2は、ハロゲン、ヒドロキシ、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロ低級アルキルから選択される一種以上の置換基で置換されていても良いアリール基または、ハロゲン、ヒドロキシ、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロ低級アルキルから選択される一種以上の置換基で置換されていても良いピリジル基を示し、 R3及びR4は同一又は異なって、炭素数1〜12の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、アリール基、ヘテロ芳香族基から選択される基(但し、前記各基はさらに、ハロゲン、ヒドロキシ、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロ低級アルキルから選択される一種以上の置換基で置換されていても良い。)、あるいはR3及びR4はそれらが結合する窒素原子と一緒になって5員ないし7員の複素環を示し、 Yは、水素原子または、 を示す。]
IPC (3):
C07D 277/18 ( 200 6.01) ,  C07D 417/04 ( 200 6.01) ,  C07D 417/14 ( 200 6.01)
FI (3):
C07D 277/18 ,  C07D 417/04 CSP ,  C07D 417/14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent:
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