Pat
J-GLOBAL ID:201403068028888618
半導体ヘテロ粒子
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2012189724
Publication number (International publication number):2014046236
Application date: Aug. 30, 2012
Publication date: Mar. 17, 2014
Summary:
【課題】2種類の異なる半導体粒子を備えており、電子メディエータを使用しなくても光触媒機能が発現する半導体ヘテロ粒子を提供すること。【解決手段】第1の半導体粒子1aと、第1の半導体粒子1aに接合している第1の金属粒子2aと、第2の半導体粒子1bと、第2の半導体粒子1bに接合している第2の金属粒子2bと、を備えており、 第1の半導体粒子1aの伝導帯下端の電位が第2の半導体粒子1bの価電子帯上端の電位よりネガティブであり、 第1の金属粒子2aおよび第2の金属粒子2bの仕事関数が、それぞれ独立に、第1の半導体粒子1aの伝導帯下端の電位および第2の半導体粒子1bの価電子帯上端の電位のいずれか一方と同等である、あるいはこれらの電位の間に位置している、ことを特徴とする半導体ヘテロ粒子。【選択図】図1
Claim (excerpt):
第1の半導体粒子と、第1の半導体粒子に接合している第1の金属粒子と、第2の半導体粒子と、第2の半導体粒子に接合している第2の金属粒子と、を備えており、
第1の半導体粒子の伝導帯下端の電位が第2の半導体粒子の価電子帯上端の電位よりネガティブであり、
第1および第2の金属粒子の仕事関数が、それぞれ独立に、第1の半導体粒子の伝導帯下端の電位および第2の半導体粒子の価電子帯上端の電位のいずれか一方と同等である、あるいはこれらの電位の間に位置している、ことを特徴とする半導体ヘテロ粒子。
IPC (14):
B01J 35/02
, C01G 35/00
, C01B 3/04
, B01J 27/24
, B01J 23/68
, B01J 23/89
, C01G 23/047
, C01G 23/00
, C01G 41/02
, C01G 9/02
, C01G 31/00
, C01G 49/00
, C01G 3/02
, B01J 23/85
FI (16):
B01J35/02 J
, C01G35/00 Z
, C01B3/04 A
, B01J27/24 M
, B01J23/68 M
, B01J23/89 M
, C01G23/047
, C01G23/00 C
, C01G41/02
, C01G9/02 A
, C01G31/00
, C01G35/00 D
, C01G49/00 C
, C01G3/02
, C01G49/00 A
, B01J23/85 M
F-Term (51):
4G002AA06
, 4G002AE05
, 4G047AA02
, 4G047AB05
, 4G047AC03
, 4G047AD03
, 4G047CA01
, 4G047CA02
, 4G047CA07
, 4G047CB09
, 4G047CC03
, 4G047CD03
, 4G048AA03
, 4G048AB03
, 4G048AC08
, 4G048AD03
, 4G169AA03
, 4G169BA04B
, 4G169BA48A
, 4G169BB02A
, 4G169BB02B
, 4G169BB04B
, 4G169BB06B
, 4G169BB11B
, 4G169BC09B
, 4G169BC12B
, 4G169BC25A
, 4G169BC25B
, 4G169BC31A
, 4G169BC31B
, 4G169BC33B
, 4G169BC35A
, 4G169BC35B
, 4G169BC50A
, 4G169BC50B
, 4G169BC54B
, 4G169BC56A
, 4G169BC56B
, 4G169BC60A
, 4G169BC60B
, 4G169BC66A
, 4G169BC66B
, 4G169BC75B
, 4G169BD06B
, 4G169CC33
, 4G169EC03Y
, 4G169HA01
, 4G169HB01
, 4G169HB06
, 4G169HD03
, 4G169HE09
Patent cited by the Patent:
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