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J-GLOBAL ID：201403073445524460

化合物半導体極細線の製造方法、及び化合物半導体極細線集合体

Inventor： 大貝 猛 ,  高尾 慶蔵 ,  香川 明男
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 長崎大学
Agent (1)： 特許業務法人山口国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010026986
Publication number (International publication number)：2011162844
Patent number：5424406
Application date： Feb. 09, 2010
Publication date： Aug. 25, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】 複数のナノサイズの微細貫通孔を有するテンプレートを形成する工程と、 電析法を用いて、前記テンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体の構成元素である第1元素と第2元素が合金化された状態で前記化合物半導体を充填する工程と を有する化合物半導体極細線の製造方法。

IPC (6)：

C25D 7/00 ( 200 6.01) ,  B82B 3/00 ( 200 6.01) ,  B82B 1/00 ( 200 6.01) ,  C25D 5/50 ( 200 6.01) ,  C25D 5/10 ( 200 6.01) ,  C01B 19/04 ( 200 6.01)

FI (6)：

C25D 7/00 R ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  C25D 5/50 ,  C25D 5/10 ,  C01B 19/04 H