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J-GLOBAL ID:201403075681064970

半導体記憶装置及びデータ処理システム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高尾 建吾
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2013101704
Publication number (International publication number):2014222420
Application date: May. 13, 2013
Publication date: Nov. 27, 2014
Summary:
【課題】再現不可能性を有する乱数を簡易に生成することが可能な半導体記憶装置を得る。【解決手段】データ更新部15Aは、メモリアレイ17から読み出した第1の乱数生成用データX1を更新することにより、第1の乱数生成用データX1に基づいて生成される第1の乱数より後に使用される第2の乱数を生成するための第2の乱数生成用データX2を生成する。制御部13は、第2の乱数生成用データX2をメモリアレイ17に書き込む。【選択図】図2
Claim (excerpt):
乱数の生成に用いる乱数生成用データが記憶されたメモリアレイと、 乱数生成用データを更新するデータ更新部と、 制御部と、 を備え、 前記データ更新部は、前記メモリアレイから読み出した第1の乱数生成用データを更新することにより、当該第1の乱数生成用データに基づいて生成される第1の乱数より後に使用される第2の乱数を生成するための第2の乱数生成用データを生成し、 前記制御部は、前記第2の乱数生成用データを前記メモリアレイに書き込む、半導体記憶装置。
IPC (2):
G06F 7/58 ,  H04L 9/08
FI (3):
G06F7/58 A ,  H04L9/00 601C ,  H04L9/00 601E
F-Term (4):
5J104EA04 ,  5J104EA18 ,  5J104NA03 ,  5J104NA37
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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