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J-GLOBAL ID：201403076021276326

有機半導体組成物

Inventor： 瀧宮 和男 ,  桑原 博一 ,  由井 樹人 ,  池田 征明
Applicant, Patent owner： 日本化薬株式会社
Agent (1)： 特許業務法人浅村特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008135951
Publication number (International publication number)：2009283786
Patent number：5428104
Application date： May. 23, 2008
Publication date： Dec. 03, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】下記一般式(1)で表される部分構造を有する有機半導体材料および高分子材料を含む組成物、又は該組成物と溶媒とを含む有機半導体インクを塗布して、その後、熱処理することにより得られる有機半導体薄膜であって、該熱処理の温度が有機半導体材料の融点以上である、有機半導体薄膜。 (式中、XはS、Se、またはTeを表す。)

IPC (6)：

H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  C09D 11/00 ( 201 4.01)

FI (7)：

H01L 29/28 220 A ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 310 A ,  H01L 29/28 250 H ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  C09D 11/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-547243   Applicant：アベシア・リミテッド
• 有機装置の電気性質を向上する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-210177   Applicant：財団法人工業技術研究院
• 有機半導体層およびその改善
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-540612   Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング

Cited by examiner (1)

• 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-547243   Applicant：アベシア・リミテッド