半導体装置の製造方法および半導体層の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部毅巖
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007164727
Publication number (International publication number)：2009004604
Patent number：5380794
Application date： Jun. 22, 2007
Publication date： Jan. 08, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】第1の半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極側壁に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層両側の前記第1の半導体層にリセスを形成する工程と、前記リセス内に、第2の半導体層を形成する工程と、前記第2の半導体層上に、前記絶縁層に対する成長選択性が、前記第2の半導体層形成時の前記絶縁層に対する成長選択性よりも高い条件で、第3の半導体層を形成する工程と、を有し、前記第2の半導体層を形成する工程と前記第3の半導体層を形成する工程においては、前記第2の半導体層および前記第3の半導体層の原料ガスにハロゲン系ガスを添加し、前記第3の半導体層形成時の前記原料ガスの組成および分圧は、前記第2の半導体層形成時の前記原料ガスの組成および分圧と同じであり、前記第2の半導体層形成時の前記ハロゲン系ガスの添加量は、前記第3の半導体層形成時の前記ハロゲン系ガスの添加量よりも低い条件で、前記第2の半導体層および前記第3の半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/205 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 29/78 301 S , H01L 21/205 , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 616 U

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

大量にドープされたエピタキシャルSiGeを選択的に堆積させる方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-533945 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-352010 Applicant：株式会社デンソー, 株式会社SUMCO
選択的堆積プロセスを使用したMOSFETデバイスの作製方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-513252 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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Cited by examiner (5)

大量にドープされたエピタキシャルSiGeを選択的に堆積させる方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-533945 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-352010 Applicant：株式会社デンソー, 株式会社SUMCO
選択的堆積プロセスを使用したMOSFETデバイスの作製方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-513252 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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