半導体集積装置およびその作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009080735
Publication number (International publication number)：2010232567
Patent number：5419139
Application date： Mar. 29, 2009
Publication date： Oct. 14, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】同一半導体基板上に回路部とセンサ部が形成されてなる半導体集積装置であって、前記回路部は、表面に保護層が成膜された回路部であり、前記センサ部は、前記保護層が成膜されていないセンサ部形成領域と前記保護層が成膜された回路部とを含む半導体基板全体に成膜されたアルカリ金属を含む非鉛強誘電体材料のうち、該回路部に成膜された部分を除去した残余部により構成されたセンサ部であることを特徴とする半導体集積装置。

IPC (5)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01) , H01L 37/02 ( 200 6.01) , H01L 21/316 ( 200 6.01) , H01L 31/10 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 27/04 F , H01L 37/02 , H01L 21/316 G , H01L 31/10 Z , H01L 31/10 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体基板上の積層構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-066393 Applicant：国立大学法人豊橋技術科学大学
特開平3-034580
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-044534 Applicant：富士通株式会社

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