半導体基板上の積層構造

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007066393
Publication number (International publication number)：2008227345
Application date： Mar. 15, 2007
Publication date： Sep. 25, 2008
Summary：

【課題】シリコン基板上にバッファ層としてγ-Al2O3単結晶膜を用いることにより、優れた特性の強誘電体素子を提供する。【解決手段】MFMIS構造薄膜2の最下層のシリコン基板4上には、γ-Al2O3単結晶膜6が形成されている。γ-Al2O3単結晶膜6の直上には、酸化物導電体であるLaNiO3膜8が下部電極として形成されている。LaNiO3膜8の直上には、強誘電体材料であるPZT薄膜10が形成されている。PZT薄膜10の上面には、上部電極であるPt層12が形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上にエピタキシャル成長されたγ-Al2O3単結晶膜を有し、前記γ-Al2O3単結晶膜上に、ペロブスカイト構造の擬立方晶の金属酸化物層ABO3(Aは、Sr、Laからなる群より選ばれる少なくとも1種、Bは、Ru、Niからなる群より選ばれる少なくとも1種)を有する酸化物電極薄膜をさらに備えることを特徴とする半導体基板上の積層構造。

IPC (7)：

H01L 41/22 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 41/08 , H01L 41/187

FI (5)：

H01L41/22 Z , H01L27/10 444A , H01L29/78 371 , H01L41/08 Z , H01L41/18 101D

F-Term (12)：

5F083FR07 , 5F083GA11 , 5F083JA02 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA45 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F101BA62 , 5F101BE07 , 5F101BH01 , 5F101BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体素子、半導体センサーおよび半導体記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-071584 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-078939 Applicant：株式会社東芝
シリコン上に集積された強誘電体キャパシタ用の電極構造および作成方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-518425 Applicant：テルコーディアテクノロジーズインコーポレイテッド, ユニバーシティオブメリーランド

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Cited by examiner (2)

ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体膜、圧電素子、液体吐出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-026344 Applicant：富士フイルム株式会社
薄膜赤外線検出素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-074401 Applicant：国立大学法人豊橋技術科学大学, 日置電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

エピタキシャルγ-Al2O3/Si基板上への強誘電体薄膜形成

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