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J-GLOBAL ID：201403099547799722
多接合太陽電池
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (3)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013098151
Publication number (International publication number)：2014220351
Application date： May. 08, 2013
Publication date： Nov. 20, 2014
Summary：
【課題】シリコンからなる太陽電池セルと、Asを除くIII-V族化合物半導体からなる太陽電池セルとによる多接合太陽電池において、より高い光電変換効率が得られるようにする。【解決手段】ボトムセルとなる第1太陽電池セル131と、トップセルとなる第2太陽電池セル132とを少なくとも備え、第2太陽電池セル132は、p型InGaPSbからなるベース層107と、n型InGaPSbからなるエミッタ層108とを光吸収層として備える。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
p型のシリコンからなるp型シリコン層およびn型のシリコンからなるn型シリコン層を備える第1太陽電池セルと、
InGaPSbからなる光吸収層を含み、As以外のIII-V族化合物半導体からなる化合物半導体層およびInGaPからなる接合層から構成された第2太陽電池セルと
を備え、
前記n型シリコン層と前記接合層とが貼り合わされて前記第1太陽電池セルおよび前記第2太陽電池セルが一体とされていることを特徴とする多接合太陽電池。
IPC (1)：
FI (2)：
H01L31/04 Y
, H01L31/04 E
5F151AA01
, 5F151AA08
, 5F151DA03
, 5F151DA19
, 5F151FA13
, 5F151FA15
Cited by examiner (2)
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タンデム型太陽電池およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-238885
Applicant：トヨタ自動車株式会社
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タンデム太陽電池セル
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2011-052918
Applicant：日本電信電話株式会社
Article cited by the Patent：
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