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J-GLOBAL ID：201502202819882535   Reference number：15A1365963

通電熱処理によるp型窒化ガリウムのアクセプター活性化とコンタクト特性改善

Author (4)： TSUCHIDA KEISUKE (大阪大 大学院工学研究科) ,  HALIL Aiman bin Mohd (大阪大 大学院工学研究科) ,  MAEDA MASAKATSU (日本大 生産工) ,  TAKAHASHI YASUO (大阪大 接合科研)
Material： 溶接学会全国大会講演概要  (Preprints of the National Meeting of J.W.S.)
Issue： 97  Page： 98-99  Publication year： Aug. 03, 2015 
JST Material Number： F0641A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *P-type semiconductor ,  acceptor ,  carrier density ,  *ohmic contact ,  temperature ,  activation ,  hydrogen ,  dehydrogenation ,  dehydrogenation(chemical reaction) ,  *gallium nitride ,  *electrical characteristic ,  electrode
Semi thesaurus term： ohmic contact ,  *metal electrode ,  ohmic heating ,  heat treatment temperature

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (7)： 通電 ,  熱処理 ,  窒化ガリウム ,  アクセプター ,  活性化 ,  コンタクト ,  特性改善