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J-GLOBAL ID：201502203212019281   Reference number：15A1321093

Wafer bowing control of free-standing heteroepitaxial diamond (100) films grown on Ir(100) substrates via patterned nucleation growth

Ir(100)基板上でのパターン形成した核形成成長を介した自立ヘテロエピタキシャルダイヤモンド(100)薄膜に関するウエハ湾曲制御

Author (5)： YOSHIKAWA Taro (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara ...) ,  KODAMA Hideyuki (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara ...) ,  KONO Shozo (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara ...) ,  SUZUKI Kazuhiro (Toplas Engineering Co., Ltd., Chofu, Tokyo 182-0006, JPN) ,  SAWABE Atsuhito (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Coll. of Sci. and Engineering, Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara ...)
Material： Thin Solid Films
Volume： 594  Issue： PA  Page： 120-128  Publication year： Nov. 02, 2015 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor thin film ,  *diamond ,  heteroepitaxy ,  nucleation ,  substrate(plate) ,  iridium ,  crystal orientation ,  *wafer ,  morphology(form) ,  bending(material phenomenon) ,  array ,  quantum dot ,  pattern formation ,  microscopic Raman spectroscopy ,  *chemical vapor deposition
Semi thesaurus term： micro Raman spectroscopy ,  confocal Raman spectroscopy ,  free standing film ,  quantum dot array ,  curve

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (8)： Ir ,  パターン形成 ,  核形成 ,  成長 ,  自立 ,  薄膜 ,  ウエハ ,  湾曲