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J-GLOBAL ID：201502204018655114   Reference number：15A0859559

Crystal quality of InGaAs/AlAs/InAlAs coupled double quantum wells for intersubband transition devices

サブバンド間遷移素子に向けたInGaAs/AlAs/InAlAs結合二重量子井戸の結晶品質

Author (2)： GOZU Shin-ichiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 205-8568, JPN) ,  MOZUME Teruo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 205-8568, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 425  Page： 102-105  Publication year： Sep. 01, 2015 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quality ,  *multiple quantum well ,  *indium gallium arsenide ,  *aluminum arsenide ,  aluminum compound ,  *indium compound ,  arsenide ,  *photoluminescence ,  compound semiconductor ,  *layer ,  reflectivity ,  electronic transition ,  interface (surface) ,  semiconductor thin film ,  X-ray reflectivity ,  intersubband transition ,  *aluminium indium arsenide ,  crystal quality
Semi thesaurus term： *barrier layer ,  double quantum wells ,  結合バリア層

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： サブバンド間遷移 ,  InGaAs ,  AlAs ,  InAlAs ,  二重量子井戸 ,  結晶品質