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J-GLOBAL ID：201502205169023710   Reference number：15A1044664

イオン注入による欠陥制御を用いて作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_xヘテロ構造の熱的安定性

Author (7)： ARISAWA YO (名古屋大) ,  HOSHI YUSUKE (名古屋大) ,  ARIMOTO KEISUKE (山梨大) ,  YAMANAKA JUNJI (山梨大) ,  NAKAGAWA KIYOKAZU (山梨大) ,  SAWANO KENTARO (東京都市大) ,  USAMI NORITAKA (名古屋大)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 76th  Page： ROMBUNNO.13P-2W-5  Publication year： Aug. 31, 2015 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wafer ,  *ion implantation ,  Argon ,  *thin film ,  *MBE growth ,  X-Ray Diffraction ,  *silicon germanium alloy
Semi thesaurus term： *germanium silicon alloys

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (7)： イオン注入 ,  欠陥 ,  作製 ,  圧縮歪み ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  熱的安定性