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J-GLOBAL ID：201502205916593139   Reference number：15A0518618

First Demonstration of Amplification at 1THz Using 25-nm InP High Electron Mobility Transistor Process

25nm InP高電子移動度トランジスタプロセスを使用した1THzにおける増幅の初めての実証

Author (12)： MEI Xiaobing (Northrop Grumman Corp., CA, USA) ,  YOSHIDA Wayne (Northrop Grumman Corp., CA, USA) ,  LANGE Mike (Northrop Grumman Corp., CA, USA) ,  LEE Jane (Northrop Grumman Corp., CA, USA) ,  ZHOU Joe (Northrop Grumman Corp., CA, USA) ,  LIU Po-Hsin (Northrop Grumman Corp., CA, USA) ,  LEONG Kevin (Northrop Grumman Corp., CA, USA) ,  ZAMORA Alex (Northrop Grumman Corp., CA, USA) ,  PADILLA Jose (Northrop Grumman Corp., CA, USA) ,  SARKOZY Stephen (Northrop Grumman Corp., CA, USA) ,  LAI Richard (Northrop Grumman Corp., CA, USA) ,  DEAL William R. (Northrop Grumman Corp., CA, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 36  Issue： 4  Page： 327-329  Publication year： Apr. 2015 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium phosphide ,  *HEMT ,  velocity ,  switching ,  gain ,  mutual conductance ,  extension ,  cutoff frequency ,  frequency ,  *terahertz wave
Semi thesaurus term： InP ,  switching speed ,  terahertz ,  high electron mobility transistor ,  oscillation frequency ,  amplification

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： InP ,  高電子移動度トランジスタ ,  プロセス ,  増幅 ,  実証