Art

J-GLOBAL ID：201502208446565834   Reference number：15A0877745

Stability diagrams and turnstile operations of single-common-gate triple-dot single-electron devices with outer junction capacitances different from inner ones

内側のものと異なった外側の接合容量を有する単一の共通ゲート三重ドット単一電子素子の安定性ダイヤグラムと回転式スイッチ動作

Author (2)： IMAI Shigeru (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  IWASA Noriyuki (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 54  Issue： 6  Page： 064001.1-064001.9  Publication year： Jun. 2015 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor device ,  *electron transfer ,  *switching ,  junction capacitance ,  *single electron device
Semi thesaurus term： switching ,  *single electron device

JST classification (2)： Relays and switches  (NA05060K) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (27)：

• L. J. Geerligs, V. F. Anderegg, P. A. M. Holweg, J. E. Mooij, H. Pothier, D. Esteve, C. Urbina, and M. H. Devoret, Phys. Rev. Lett. 64, 2691 (1990).
• H. Pothier, P. Lafarge, C. Urbina, D. Esteve, and M. H. Devoret, Europhys. Lett. 17, 249 (1992).
• L. P. Kouwenhoven, A. T. Johnson, N. C. van der Vaart, C. J. P. M. Harmans, and C. T. Foxon, Phys. Rev. Lett. 67, 1626 (1991).
• K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai, and K. Seki, IEEE Trans. Electron Devices 41, 1628 (1994).
• Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe, Electron. Lett. 31, 136 (1995).

Terms in the title (6)： 内側 ,  接合容量 ,  ゲート ,  ドット ,  単一電子素子 ,  安定性