Art

J-GLOBAL ID：201502208465812362   Reference number：15A0904344

High-Resolution Angle-Resolved Photoemission Study of Quasi-One-Dimensional Semiconductor In₄Se₃

準一次元半導体In₄Se₃の高分解能角度分解光電子研究

Author (7)： FUKUTANI Keisuke (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIYATA Yasunari (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUZAKI Idea (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  GALIY Pavlo V. (I. Franko Lviv National Univ., Lviv, UKR) ,  DOWBEN Peter A. (Univ. Nebraska-Lincoln, NE, USA) ,  SATO Takafumi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAHASHI Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Journal of the Physical Society of Japan  (JPSJ)
Volume： 84  Issue： 7  Page： 074710.1-074710.6  Publication year： Jul. 15, 2015 
JST Material Number： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： one dimension ,  semiconductor ,  high-resolution ,  angle resolved spectroscopy ,  *photoelectron spectroscopy ,  *indium compound ,  *selenide(chalcogenide) ,  electronic structure ,  band gap ,  performance index
Semi thesaurus term： quasi one-dimension ,  angle-resolved photoemission spectroscopy ,  *indium selenide ,  thermoelectric figure of merit

JST classification (1)： Electron spectroscopy  (BM09060K)

Reference (41)：

• J. H. Davies, The Physics of Low-Dimensional Semiconductors (Cambridge University Press, Cambridge, U.K., 1997).
• A. Cingolani, F. Evangelisti, A. Minafra, and A. Rizzo, Phys. Status Solidi A 17, 541 (1973).
• A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang, T. Li, J. Kim, C.-Y. Chim, G. Galli, and F. Wang, Nano Lett. 10, 1271 (2010).
• T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
• J. Hogg, H. H. Sutherland, and D. J. Williams, Acta Crystallogr., Sect. B 29, 1590 (1973).

Terms in the title (5)： 一次元半導体 ,  高分解能 ,  分解 ,  光電子 ,  研究