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J-GLOBAL ID：201502209155731474   Reference number：15A1046884

非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによる4H-SiC(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)上グラフェンの観察

Author (5)： YAMASUE KOHEI (東北大 電通研) ,  FUKIDOME HIROKAZU (東北大 電通研) ,  FUNAKUBO KAZUTOSHI (東北大 電通研) ,  SUEMITSU MAKI (東北大 電通研) ,  CHO YASUO (東北大 電通研)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 76th  Page： ROMBUNNO.15P-2T-17  Publication year： Aug. 31, 2015 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *graphene ,  *potentiometry ,  silicon carbide ,  dipole ,  spontaneous polarization ,  contactless measurement ,  permittivity ,  electronic structure
Semi thesaurus term： potentiometry ,  interface dipole

JST classification (1)： Crystal structure of nonmetallic elements and its compounds  (BK07010N)

Terms in the title (8)： 非接触 ,  走査型 ,  非線形 ,  誘電率 ,  ポテンショメトリ ,  4H-SiC ,  グラフェン ,  観察