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J-GLOBAL ID：201502210261308783   Reference number：15A1382114

InMnAs磁性半導体薄膜の異常ホール効果(II)

Author (6)： SAKAGUCHI KYOSUKE (高知工高専) ,  OKABE ATOMU (高知工高専) ,  SHIKIJI TATSUYA (高知工高専) ,  NISHIZAWA NOZOMU (東工大 像情報研) ,  MUNEKATA HIROO (東工大 像情報研) ,  AKAZAKI TATSUSHI (高知工高専)
Material： 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集(CD-ROM)  (Shikoku-Section Joint Convention Record of the Institutes of Electrical and Related Engineers (CD-ROM))
Volume： 2015  Page： ROMBUNNO.11-7  Publication year： Sep. 26, 2015 
JST Material Number： L1738B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium arsenide ,  *Manganese ,  *magnetic semiconductor ,  *thin film ,  *anomalous Hall effect ,  superconducting junction ,  magnetic property ,  temperature dependence

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Magnetic materials  (NA04040H)

Terms in the title (3)： 磁性半導体 ,  薄膜 ,  異常ホール効果