Art

J-GLOBAL ID：201502210566790844   Reference number：15A1357711

Two-dimensional quantum transport in high-quality ZnO heterointerfaces.

酸化亜鉛ヘテロ界面の高品質化と2次元量子輸送現象

Author (4)： FALSON Joseph (マックスプランク固体物理学研) ,  KOZUKA YUSUKE (東大 大学院工学系研究科 量子相エレクトロニクス研究セ) ,  TSUKAZAKI ATSUSHI (東北大 金属材料研) ,  KAWASAKI MASASHI (東大 大学院工学系研究科 量子相エレクトロニクス研究セ)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 84  Issue： 11  Page： 984-990  Publication year： Nov. 10, 2015 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *zinc oxide ,  quantum Hall effect ,  FET ,  *carrier mobility ,  mobility(ratio) ,  compound semiconductor ,  carrier density ,  *transport phenomenon ,  magnetic reluctance ,  electric resistance ,  thin film ,  electron system ,  two dimension ,  fractional quantum Hall effect ,  heterojunction ,  interface(surface) ,  impurity concentration
Semi thesaurus term： high mobility oxide semiconductor ,  wide band-gap semiconductor ,  quantum transport ,  Hall resistance ,  ZnO thin film ,  two dimensional electron system ,  heterointerface

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Reference (57)：

• 高橋清,長谷川文夫,吉川明彦: ワイドギャップ半導体光・電子デバイス (森北出版, 2006).
• R. Dingle, H.L. Störmer, A.C. Gossard, and Wiegmann: Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978).
• T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, and K. Nanbu: Jpn. J. Appl. Phys. 19, L225 (1980).
• P.Y. Yu and M. Cardona: Fundamentals of Semiconductors (Springer, 2010) 4th ed, Chap. 5.
• L. Pfeiffer and K.W. West: Phys. E 20, 57 (2003).

Terms in the title (5)： 酸化亜鉛 ,  ヘテロ界面 ,  高品質化 ,  2次元 ,  量子輸送現象